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NP88N04KUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
5
4
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
3
2
1
0
V GS = 10 V
I D = 44 A
10000
1000
100
C iss
C oss
C rss
-100
-50
0
50
100
150
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
V DD = 32 V
10
t d( of f )
40
20 V
8V
V GS
8
100
t d( on)
30
6
10
1
t r
t f
V DD = 20 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
20
10
0
V DS
I D = 88 A
4
2
0
0.1
1
10
100
0
40
80
120
160
200
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
V GS = 10 V
10
0V
1
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16855EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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